Описание
1. Мы поставляем различные электронные компоненты и приветствуем ваш запрос
2. Восстановление электронных компонентов
3. Искренне надеемся на ваше сотрудничество!
MW4IC2020GNB rf LDMOS широкополосный интегрированный Мощность усилители 1805-1990 МГц 20 Вт 26 V GSM/GSM edge CDMA MW4IC2020GNBR1
Широкополосная интегральная схема MW4IC2020N разработана с помощью микросхемы
Соответствие, что делает его пригодным для использования от 1600 до 2400 МГц. Этот многоступенчатая
Структура оценена для 26-28 вольт работы и охватывает все типичные сотовые базы
Станция форматов модуляции.
Окончательный Применение
• Стандартная двухцветная Производительность: VDD = 26 вольт, IDQ1 = 80 мА, IDQ2 =
200 мА, IDQ3 = 300 мА, Pout = 20 Вт PEP, полночастотный диапазон
Коэффициент усиления мощности 29 дБ
IMD -32 dBc
Эффективность Слива 26% (при 1805 МГц) и 20% (при 1990 МГц)
Использование драйверов
• Типичные gsm edge Производительность: VDD = 26 вольт, IDQ1 = 80 мА, IDQ2 =
230 мА, IDQ3 = 230 мА, Pout = 5 Вт Avg. Полный диапазон частот
Коэффициент усиления мощности 29 дБ
Спектральная ребровая @ 400 кГц смещение =-66 dBc
Спектральная ребровая @ 600 кГц офсетная =-77 dBc
EVM 1% rms
• Типичная производительность CDMA: VDD = 26 вольт, IDQ1 = 80 мА, IDQ2 =
240 мА, IDQ3 = 250 мА, Pout = 1 ватт Avg., Полночастотный диапазон, IS-95
CDMA (пилот, синхронизация, подкачки, коды движения 8-13), полоса пропускания канала
= 1,2288 МГц. PAR = 9,8 дБ @ 0.01% вероятность на CCDF.
Мощность получить 30 дБ
ККПП @ 885 кГц офсетная =-61 dBc в 30 кГц пропускная способность
ALT1 @ 1,25 MHz смещение =-69 dBc в полосе пропускания 12,5 kHz
ALT2 @ 2,25 МГц смещение =-59 dBc в 1 МГц полоса пропускания
• Возможность обработки 3:1 VSWR, @ 26 В постоянного тока, 1990 МГц, 8 Вт CW
Выход Мощность
• Стабильная в 3:1 VSWR. Все Spurs ниже-60 dBc @ 100 mW до 8 W CW Pout.
• Характеристика с серийными эквивалентными параметрами импеданса большого сигнала
• Кнопка ВКЛ-чип в комплекте (50 Ом Вход, DC заблокирован,> 5 Ом Выход)
• Интегрированная компенсация температуры с функцией включения/отключения
• На чипсе токовое зеркало gm Reference FET для самостоятельного применения Biasing (1)
• Встроенная защита от статического электричества
• Пластмассовая упаковка с разрешением 200 °C
• Суффикс не содержит свинца. По ограничению на использование опасных материалов в производстве, отвечающих требованиям.
• В ленте и катушке. R1 суффикс = 500 единиц в 44 мм, 13 дюймов катушка
Характеристики
- Номер модели
- MW4IC2020GNBR1
Сопутствующие товары
