Однобоковая полированная монокристаллическая Si вафельная 4*4*0,4 мм/полупроводниковая пластина с эпитаксиальным слоем/Удельное сопротивление опционально/Кремний высокой чистоты подложка

Описание

Технические характеристики:

1. Материал: Кремний высокой чистоты

2. Длина:4Мм

3. Ширина: 4 мм

4. Толщина: 0,4 мм

5. Сопротивление: 0,0001-100 Вт

6. Направление: <111>, <100>, <110>

7. Полировка: с одной стороны

8. плоскость: <1 микрометр

9. Основное применение: Подложка для PVD/CVD покрытие пленки/экспериментальный носитель образца/Подложка для молекулярно-лучевого эпитакси

Продукты могут быть настроены. Если вам нужна эта услуга, пожалуйста, свяжитесь с нами.

Пожалуйста, свяжитесь с нами перед покупкой, чтобы подтвердить наличие количества товаров на складе.